Obiettivo del boruro e parametri correlati

Pubblica Time: 2022-01-27     Origine: motorizzato

Parametri diboride

Materiale target Lab6, Punto di fusione 2230 ℃, Densità 4.7G / cm3, resistività 15μ Ω · cm, Vickers durezza 27.7 GPA.

Target Tib2, punto di fusione 2980 ℃, densità 4.5G / cm3, resistività 9 ~ 15μ Ω · cm, Vickers durezza 33,5 GPA.

Materiale di destinazione ZRB2, punto di fusione 3040 ℃, densità 6.1G / cm3, resistività 7-10 μ Ω · cm, Vickers durezza 22,5 GPA.

Materiale target HFB2, Punto di fusione 3250 ℃, Densità 11.2G / cm3, resistività 10 ~ 12μ Ω · cm, Durezza Vickers 29 GPA.

NBB2 Materiale target, Punto di fusione 3000 ℃, Densità 7G / cm3, resistività 12 ~ 65μ Ω · cm, Vickers durezza 26 GPA.

Tab2 Materiale target, punto di fusione 3100 ℃, densità 12.6g / cm3, resistività 14 ~ 68μ Ω · cm, Durezza Vickers 25 GPA.

Materiale target CRB2, punto di fusione 1950 ℃, densità 5.2G / cm3, resistività 21 ~ 56μ Ω · cm, volgarità Durezza 18GPA.

MOB2 Materiale target, Punto di fusione 2250 ℃, Densità 7,7 g / cm3, resistività 20 ~ 40μ Ω · cm, Vickers durezza 12GPA.

Target W2B5, punto di fusione 2200 ℃, densità 13,1 g / cm3, resistività 21 ~ 56μ Ω · cm, volgarità Durezza 26,5GPA.


Applicazioni dei materiali del semiconduttore

Glassaggio a infrarossi Chalcogenide.

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