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71496-78-1.
LAALO3.
57130800pd.
99,9%
- 50 mesh (35 MIC APS)
Caratteristica
Lanthanum Aluminte è un composto inorganico con la Formula Laalo3, spesso abbreviato come Lao. È un ossido ceramico otticamente trasparente con una struttura di perovskite distorta.
Formula chimica: Laalo3
Massa molare: 213,89 g / mol
Aspetto: otticamente trasparente, abbronzatura a marrone
Densità: 6,52 g / cm ^3
Punto di fusione: 2.080 ° C (3.780 ° F; 2350 K)
Solubilità in acqua: insolubile in acidi minerali a 25 ° C. Solubile in H3PO3> 150 ° C
Applicazione
Gli epitassialmente coltivati i film sottili del Lao possono servire vari scopi per elettroni correlati eterostrutture e dispositivi. Lao viene talvolta usato come un isolatore epitassiale tra due strati conduttivi.
I singoli cristalli di alluminazione del lantanio sono commercialmente disponibili come substrato per la crescita epitassiale dei perovskiti, e in particolare per i superconduttori cupratori.
I film sottili di alluminate di lantanio sono stati considerati materiali candidati per Dielectractics High-K all'inizio della metà del 2000.
Caratteristica
Lanthanum Aluminte è un composto inorganico con la Formula Laalo3, spesso abbreviato come Lao. È un ossido ceramico otticamente trasparente con una struttura di perovskite distorta.
Formula chimica: Laalo3
Massa molare: 213,89 g / mol
Aspetto: otticamente trasparente, abbronzatura a marrone
Densità: 6,52 g / cm ^3
Punto di fusione: 2.080 ° C (3.780 ° F; 2350 K)
Solubilità in acqua: insolubile in acidi minerali a 25 ° C. Solubile in H3PO3> 150 ° C
Applicazione
Gli epitassialmente coltivati i film sottili del Lao possono servire vari scopi per elettroni correlati eterostrutture e dispositivi. Lao viene talvolta usato come un isolatore epitassiale tra due strati conduttivi.
I singoli cristalli di alluminazione del lantanio sono commercialmente disponibili come substrato per la crescita epitassiale dei perovskiti, e in particolare per i superconduttori cupratori.
I film sottili di alluminate di lantanio sono stati considerati materiali candidati per Dielectractics High-K all'inizio della metà del 2000.
