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25617-97-4.
Gan.
310700pd.
99,99% -99,9999%
- 100 maglia ca.
247-129-0
Caratteristica
Gallium Nitride (GAN) è un semiconduttore Binary III / V di Bandgap diretto comunemente utilizzato in diodi emettitori leggeri dagli anni '90. Il composto è un materiale molto duro con una struttura a cristallo wurtzite. La sua ampia banda di 3,4 EV offre informazioni speciali [Chiarificazione necessaria] Proprietà per applicazioni in Optoelectronic, [8] [9] Dispositivi ad alta potenza e ad alta frequenza.
Formula chimica: Gan
Messa molare: 83.730 g / mol
Aspetto: polvere gialla
Densità: 6.1 g / cm3
Punto di fusione:> 1600 ° C
Solubilità in acqua: insolubile
GAP BAND: 3.4 EV (300 K, Direct)
Mobilità elettronica: 1500 cm2/ (V · s) (300 k)
Conduttività termica: 1,3 W / (cm · k) (300 K)
Indice di rifrazione (ND): 2.429
Struttura in cristallo: Wurtzite
Applicazione
La sua sensibilità alla radiazione ionizzazione è bassa (come altri nitridi III del gruppo), rendendolo un materiale adatto per gli array di celle solari per i satelliti. Le applicazioni militari e spaziali potrebbero anche beneficiare di dispositivi hanno mostrato stabilità negli ambienti di radiazione.
Poiché i transistor Gan possono operare a temperature molto più elevate e lavorare a tensioni molto più elevate rispetto ai transistor di Gallium Arsenide (GAAS), rendono gli amplificatori di potenza ideali presso le frequenze a microonde. Inoltre, Gan offre caratteristiche promettenti per i dispositivi THZ.
Caratteristica
Gallium Nitride (GAN) è un semiconduttore Binary III / V di Bandgap diretto comunemente utilizzato in diodi emettitori leggeri dagli anni '90. Il composto è un materiale molto duro con una struttura a cristallo wurtzite. La sua ampia banda di 3,4 EV offre informazioni speciali [Chiarificazione necessaria] Proprietà per applicazioni in Optoelectronic, [8] [9] Dispositivi ad alta potenza e ad alta frequenza.
Formula chimica: Gan
Messa molare: 83.730 g / mol
Aspetto: polvere gialla
Densità: 6.1 g / cm3
Punto di fusione:> 1600 ° C
Solubilità in acqua: insolubile
GAP BAND: 3.4 EV (300 K, Direct)
Mobilità elettronica: 1500 cm2/ (V · s) (300 k)
Conduttività termica: 1,3 W / (cm · k) (300 K)
Indice di rifrazione (ND): 2.429
Struttura in cristallo: Wurtzite
Applicazione
La sua sensibilità alla radiazione ionizzazione è bassa (come altri nitridi III del gruppo), rendendolo un materiale adatto per gli array di celle solari per i satelliti. Le applicazioni militari e spaziali potrebbero anche beneficiare di dispositivi hanno mostrato stabilità negli ambienti di radiazione.
Poiché i transistor Gan possono operare a temperature molto più elevate e lavorare a tensioni molto più elevate rispetto ai transistor di Gallium Arsenide (GAAS), rendono gli amplificatori di potenza ideali presso le frequenze a microonde. Inoltre, Gan offre caratteristiche promettenti per i dispositivi THZ.
