Pellet di fosfuro di indio (InP).

Descrizione del prodotto

Caratteristica


Il fosfuro di indio (INP) è un semiconduttore binario composto da indio e fosforo. Ha una struttura a cristallo cubica incentrata sul viso (\"zincblende \"), identica a quella dei GAAS e la maggior parte dei Semiconduttori III-V.


Formula chimica: INP

Massa molare: 145.792 g / mol

Aspetto: cristalli cubici neri

Densità: 4.81 g / cm3, solido

Punto di fusione: 1,062 ° C (1,944 ° F; 1,335 K)

Solubilità: leggermente solubile in acidi [1]

Gap Band: 1.344 EV (300 K; Direct)

Mobilità elettronica: 5400 cm2 / (v · s) (300 k)

Conduttività termica: 0,68 W / (cm · k) (300 K)

Indice di rifrazione (ND): 3.1 (infrarossi); 3.55 (632,8 Nm)

Struttura in cristallo: Blende di zinco


Applicazione


L'INP è utilizzato nell'elettronica ad alta potenza e ad alta frequenza a causa della sua velocità di elettroni superiore rispetto al più comune semiconduttori silicone e al gallio dell'Arsenide.


È stato utilizzato con l'Arsenide in Indio Gallio per realizzare un record che rompe il transistor bipoojunction eterojunction pseudomorfo che potrebbe operare a 604 GHz.


Ha anche una banda di banda diretta, che lo rende utile per dispositivi optoelettronica come diodi laser.


L'INP viene anche utilizzato come substrato per i dispositivi opto-elettronici a base di Gallio in Indiuso epitassiale.



MSDS.

Antimoniuro di gallio (GaSb)-Wafer

Antimonide di Germanio (GESB) -POWDER

Fosfuro di cadmio (Cd3P2)-Pellet

Arsenuro di indio (InAs)-Lingotto

Antimonia cadmio (CDSB) -Powder

Antimoniuro di germanio (GeSb)-Pellet

Antimoniuro di cadmio (CdSb)-Pellet

Arsenuro di germanio (GeAs)-Pellet

Molybdenum fosfuro (MOP) -Powder