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<\/strong><\/p> Nitruro di alluminio (AIN) è un solido nitruro di alluminio. Ha una elevata conducibilità termica fino a 285 W / (m · K), ed è un isolante elettrico. Fase wurtzite (w-AIN) presenta una banda di ~ 6 eV a temperatura ambiente ed ha un potenziale applicazione in optoelettronica funzionanti a frequenze profonde ultravioletti.<\/p> Formula chimica: AIN<\/p> massa molare: 40,989 g / mol<\/p> Aspetto: da bianco a giallo pallido solido<\/p> Densità: 3.255 g / cm3<\/sup><\/p> Punto di fusione: 2500 ° C (4530 ° F; 2.770 K)<\/p> Solubilità in acqua: idrolizza (polvere), insolubile (monocristallino)<\/p> Solubilità insolubile, oggetto di idrolisi in soluzioni acquose di basi e acidi<\/p> band gap: 6,015 eV<\/p> mobilità degli elettroni: ~ 300 cm2<\/sup>/ (V · s)<\/p> Conducibilità termica: 285 W / (m · K)<\/p> Indice di rifrazione (nD): 2.1-2.2 (cristalli) 1,8-1,9 (amorfo)<\/p> Struttura in cristallo: Wurtzite<\/p> Applicazione<\/strong><\/p> Crescita epitassiale sottile pellicola di nitruro di alluminio cristallino viene utilizzato per sensori onda acustica di superficie (seghe) depositati su wafer di silicio a causa delle proprietà piezoelettriche di AlN. Un'applicazione è un filtro RF che è ampiamente utilizzato nei telefoni cellulari,] che si chiama una sottile pellicola bulk risonatore acustico (FBAR). Questo è un dispositivo MEMS che nitruro usi alluminio a sandwich tra due strati metallici.<\/p> AlN è anche usato per costruire piezoelettrico microlavorato ultrasuoni trasduttori, che emettono e ricevere ultrasuoni e che può essere utilizzato per in aria telemetro su distanze fino a un metro.<\/p> Metodi di metallizzazione sono disponibili per permettere AlN di essere utilizzato in applicazioni di elettronica simili a quelle di allumina e ossido di berillio. AlN nanotubi nanotubi inorganici quasi-unidimensionale che sono isoelettronico con nanotubi di carbonio, sono state suggerite come sensori chimici per gas tossici.<\/p> Attualmente c'è molta ricerca nello sviluppo di diodi emettitori di luce per operare nell'ultravioletto a semiconduttori basati nitruro di gallio e, utilizzando il nitruro di gallio lega di alluminio, le lunghezze d'onda più breve sono stati raggiunti 250 nm. Nel 2006, è stato segnalato un inefficiente emissione AIN LED a 210 nm.<\/p>
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