Caratteristica

L'ossido di Hafnium (IV) è il composto inorganico con la formula HFO₂. Conosciuto anche come Hafnia, questo solido incolore è uno dei composti più comuni e stabili di Hafnium. È un isolante elettrico con un gap di banda di 5,3 ~ 5,7 ev. L'anidride di Hafnium è un intermedio in alcuni processi che danno il metallo di Hafnium.

Formula chimica: HFO₂

Messa molare: 210.49 g / mol

Aspetto: polvere bianca bianca

Densità: 9,68 g / cm³, solido

Punto di fusione: 2,758 ° C (4,996 ° F; 3,031 K)

Punto di ebollizione: 5,400 ° C (9.750 ° F; 5,670 K)

Solubilità in acqua: insolubile

Suscettibilità magnetica (χ): - 23.0 · 10^-6.cm³/ mol.

Applicazione

L'Hafnia è utilizzata in rivestimenti ottici e come dielettrico alto-κ in condensatori DRAM e in dispositivi avanzati metallici-semiconduttori.

Negli ultimi anni, l'ossido di afnium (così come l'ossido di afnium drogato e dell'ossigeno-carente) attira ulteriore interesse come possibile candidato per le memorie di commutazione resistiva e i transistor del campo ferroelettrico compatibile con CMOS (memoria FUCET) e i chip di memoria.

A causa del suo alto punto di fusione, HAFNIA viene anche utilizzato come materiale refrattario nell'isolamento di tali dispositivi come termocoppie, dove può funzionare a temperature fino a 2500 ° C.

Pellicole multistrato di anidride di Hafnium, silice e altri materiali sono stati sviluppati per l'uso nel raffreddamento passivo di edifici. I film riflettono la luce del sole e irradiano il calore a lunghezze d'onda che attraversano l'atmosfera terrestre e possono avere temperature più gradenti rispetto ai materiali circostanti alle stesse condizioni.

HFO2_MSDS.PDF.