Gallio Nitride (Gan) -Powder

Descrizione del prodotto

Caratteristica


Gallium Nitride (GAN) è un semiconduttore Binary III / V di Bandgap diretto comunemente utilizzato in diodi emettitori leggeri dagli anni '90. Il composto è un materiale molto duro con una struttura a cristallo wurtzite. La sua ampia banda di 3,4 EV offre informazioni speciali [Chiarificazione necessaria] Proprietà per applicazioni in Optoelectronic, [8] [9] Dispositivi ad alta potenza e ad alta frequenza.


Formula chimica: Gan

Messa molare: 83.730 g / mol

Aspetto: polvere gialla

Densità: 6.1 g / cm3

Punto di fusione:> 1600 ° C

Solubilità in acqua: insolubile

GAP BAND: 3.4 EV (300 K, Direct)

Mobilità elettronica: 1500 cm2/ (V · s) (300 k)

Conduttività termica: 1,3 W / (cm · k) (300 K)

Indice di rifrazione (ND): 2.429

Struttura in cristallo: Wurtzite



Applicazione


La sua sensibilità alla radiazione ionizzazione è bassa (come altri nitridi III del gruppo), rendendolo un materiale adatto per gli array di celle solari per i satelliti. Le applicazioni militari e spaziali potrebbero anche beneficiare di dispositivi hanno mostrato stabilità negli ambienti di radiazione.


Poiché i transistor Gan possono operare a temperature molto più elevate e lavorare a tensioni molto più elevate rispetto ai transistor di Gallium Arsenide (GAAS), rendono gli amplificatori di potenza ideali presso le frequenze a microonde. Inoltre, Gan offre caratteristiche promettenti per i dispositivi THZ.



MSDS.

Nitruro di cobalto (CoN)-Polvere

Nitride in rame (CU3N) -Powder

Nitruro di manganese (Mn4N)-polvere

Tantanum Nitride (Tan) -Powder

Magnesio Nitride (MG3N2) -Powder

Tantalum Nitride (Tan)-Target -puttering