Arsenuro di gallio (GaAs)-bersaglio sputtering

Descrizione del prodotto

Caratteristica


L'arseniuro di gallio (GaAs) è un composto degli elementi gallio e arsenico.È un semiconduttore a banda proibita diretta III-V con una struttura cristallina in blenda di zinco.


Formula chimica:GaAs

Massa molare:144.645 g/mol

Aspetto:Cristalli grigi

Odore: simile all'aglio quando inumidito

Densità:5.3176 g/cm3

Punto di fusione: 1.238 ° C (2.260 ° F; 1.511 K)

Solubilità in acqua:insolubile

Solubilità:solubile in HCl

insolubile in etanolo, metanolo, acetone

Intervallo di banda:1.441 eV (a 300 K)

Mobilità elettronica:9000 cm2/(V·s) (a 300 K)

Suscettività magnetica (χ):-16.2×10−6cgs

Conducibilità termica:0,56 W/(cm·K) (a 300 K)

Indice di rifrazione (nD): 3.3

Struttura cristallina: miscela di zinco


Applicazione


L'arseniuro di gallio viene utilizzato nella fabbricazione di dispositivi come circuiti integrati a microonde, circuiti integrati monolitici a microonde, diodi a emissione di luce a infrarossi, diodi laser, celle solari e finestre ottiche.


Il GaAs viene spesso utilizzato come materiale di substrato per la crescita epitassiale di altri semiconduttori III-V, inclusi arseniuro di indio e gallio, arseniuro di alluminio e gallio e altri.


MSDS

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