Target AZO （Ossido di zinco drogato con allumina）

I film sottili di ZnO (AZO) drogati con alluminio vengono depositati mediante un metodo di fabbricazione economicamente versatile di elettrospruzzatura su due tipi di substrati: wafer di vetro e silicio, alla temperatura del substrato di 300 ° C, tensione di 18 kV e distanza tra l'emettitore e il collettore di 6 cm , Zinco acetato disidrato sciolto in una miscela di acqua deionizzata, etanolo e acido acetico viene utilizzato per la deposizione di film di ZnO non drogato, mentre per il drogaggio con Al vengono scelti due materiali precursori: cloruro di alluminio e nitrato di alluminio sciolti in etanolo. I livelli di drogaggio sono 5 e 10% in peso e viene studiata la dipendenza dalla concentrazione delle proprietà dei film. Tutti i film presentano una struttura policristallina con una dimensione dei cristalliti decrescente da 21 nm per film non drogati a 19 nm e 17 nm per film di ossido di zinco drogato con allumina AZ AZO drogati rispettivamente con 5 e 10% in peso di Al. Lo spostamento dei picchi XRD dei campioni drogati verso angoli di diffrazione più elevati rivela l'incorporazione riuscita di Al nel reticolo di ZnO. Le proprietà ottiche vengono studiate mediante misure ellissometriche e di fotoluminescenza. Si osserva una diminuzione dell'indice di rifrazione da 1,89 per il campione non drogato a 1,84 e 1,83 per i film di ossido di zinco 5 drogato con allumina al 5 e 10% rispettivamente e un aumento del gap di banda ottica da 3,30eV a 3,40eV. Una sostanziale diminuzione della resistenza del foglio viene misurata per i film AZO: 86Ω / □ e 61Ω / □ per campioni drogati al 5% e al 10%, rispettivamente. Allo stesso tempo, la trasmittanza dei film è mantenuta alta. I valori medi nel campo del visibile per i film con spessore di 200 nm sono rispettivamente dell'86% per quelli non drogati e dell'84% e dell'80% per i film drogati con Al 5 e 10%. Pertanto, è dimostrata l'applicabilità dei film studiati come elettrodi conduttivi trasparenti.