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Charase (1: 1: 1: 2)
2949313400pd.
99,999%
- 325 mesh (40 MIC APS)
Caratteristica
Rame Indio Gallio (DI) Selenide (CIGS) è un materiale semiconduttore I-III-VI2 composto da rame, indio, gallio e selenio. Il materiale è una soluzione solida di selenide in inlio di rame (spesso abbreviato \"cis \") e rame gallio selenide.
Formula chimica: Cuin(1-x)Ga.xSe.2
Densità: ~ 5,7 g / cm3
Punto di fusione: 1.070 a 990 ° C (da 1,960 a 1,810 ° F; da 1340 a 1.260 K) (x = 0-1)
GAP BAND: 1.0-1.7 EV (X = 0-1)
Struttura in cristallo: tetragonale
Applicazione
È meglio conosciuto come il materiale per le celle solari CIGS una tecnologia a film sottile utilizzato nell'industria fotovoltaica. In questo ruolo, CIGS ha il vantaggio di poter essere depositato su materiali di substrato flessibili, producendo pannelli solari altamente flessibili e leggeri. I miglioramenti dell'efficienza hanno reso CIGS una tecnologia consolidata tra materiali di cellule alternativi.
Caratteristica
Rame Indio Gallio (DI) Selenide (CIGS) è un materiale semiconduttore I-III-VI2 composto da rame, indio, gallio e selenio. Il materiale è una soluzione solida di selenide in inlio di rame (spesso abbreviato \"cis \") e rame gallio selenide.
Formula chimica: Cuin(1-x)Ga.xSe.2
Densità: ~ 5,7 g / cm3
Punto di fusione: 1.070 a 990 ° C (da 1,960 a 1,810 ° F; da 1340 a 1.260 K) (x = 0-1)
GAP BAND: 1.0-1.7 EV (X = 0-1)
Struttura in cristallo: tetragonale
Applicazione
È meglio conosciuto come il materiale per le celle solari CIGS una tecnologia a film sottile utilizzato nell'industria fotovoltaica. In questo ruolo, CIGS ha il vantaggio di poter essere depositato su materiali di substrato flessibili, producendo pannelli solari altamente flessibili e leggeri. I miglioramenti dell'efficienza hanno reso CIGS una tecnologia consolidata tra materiali di cellule alternativi.
