Porcellana PV 20 anni: tutti i fiumi e laghi del record del vento e delle nuvole

Per parafrasare l'idioma della revisione annuale dell'industria: \"2020 sarà un anno straordinario \" per l'industria polisilicon-fotovoltaica. Ho scritto di questo per 10 anni. Da un giornalista fotovoltaico a tempo pieno a un membro del personale di una società di ingegneria che investe in polisilicon e industria fotovoltaica, il polisilicone e l'industria fotovoltaica hanno sempre influenzato i miei pensieri negli ultimi 10 anni. Questo \"straordinario \" non è semplicemente una scrittura abitudine o una semplice copia. Invece, dall'inizio di questo secolo al presente, il polisilicio della Cina e l'industria fotovoltaica ha registrato grandi cambiamenti e alti e bassi in soli 20 anni, che ha completamente condensato la traccia di sviluppo di altre industrie per decenni o anche centinaia di anni.

\"Quando tutti vanno avanti, non dimenticare la strada che abbiamo preso; non importa quanto lontano andiamo e quanto potrebbe essere luminoso il nostro futuro, non dovremmo mai dimenticare il passato e perché siamo partiti. \" In occasione del critico Giuntura del \"13 ° Piano quinquennale \" e il\"14 ° Piano quinquennale \", in piedi all'incrocio del \"due centenary \", guardando indietro allo sviluppo del settore, spero che io Può portare avanti la storia con la scrittura tra i guadagni e le perdite e accumulare la forza di costante progresso per la prossima sezione della strada.

Pensa al memoriale, pensa che desideri.

Origine: la nascita del fotovoltaico

(XIX secolo ~ 1960)

L'industria del silicio della Cina è nella sua infanzia

Continuando a ottenere importanti scoperte

Ma a quel punto, il germanio era stato sostituito negli Stati Uniti conSingoli cristalli di silicio, che ha dominato a causa dei loro più proprietà e usi basati sul mercato. In Cina\"12 anni di visione dello sviluppo della scienza e della tecnologia \", la ricerca e lo sviluppo diSilicon Single Crystal.È stato classificato nel 1968, 10 anni dopo, il che significa che la Cina sarà in ritardo dietro i paesi stranieri in questo campo per almeno 10 anni!

Come menzionato sopra, il silicio, un elemento abbondante nella crosta terrestre, una volta sviluppata con successo, purificata e utilizzata, può essere preparata in importanti materiali semiconduttori, che avranno ampie prospettive nella preparazione dei transistor e dei chip circuiti integrati. Per questa base, in per migliorare la velocità e la velocità del movimento degli elettroni, i ricercatori hanno convertito la struttura policristallina del materiale in asingolo cristalloStruttura, questa cultura artificiale dei materiali cristallini è chiamata la tecnologia di crescita del cristallo singolo.

Nel 1959, al fine di raggiungere il ritmo della ricerca e lo sviluppo della tecnologia straniera, sotto la guida di Lin Lanying et al., La Cina ha iniziato la produzione e la ricerca diSilicon Single.cristallo in anticipo del tempo previsto.

Tuttavia, nella nuova Cina, Argon, il gas protettivo più esigente per fareSilicon Single Crystals., è estremamente scarso.Argon è un importante gas inerte. In ordine per prevenire ossidi e altre impurità dalla contaminazione dei tiratisingolo cristalloDurante il riscaldamento ad alta temperatura e influenzando così la qualità del cristallo singolo, l'Argon viene utilizzato come gas protettivo nella fornace nel processo di preparazionesingolo cristallo di silicio.Argon è stato bandito al momento e la Cina non poteva produrla stessa. Senza argon, lo sviluppo diSilicon Single Crystal.è quasi impossibile avere successo, il che è il consenso occidentale.

Contro questo sfondo, Lin ha trovato l'idea di \"aspirapolvere \", utilizzando una pompa meccanica e una pompa di diffusione dell'olio per estrarre il vuoto, e utilizzando il coperchio della protezione dei sementi che ha inventato negli Stati Uniti per rendere il processo. Un periodo di ricerca scientifica, alla fine del 1958, sotto i suoi sforzi, la prima della CinaSilicon Single Crystal.è nato! Il cilindro, a 8 centimetri a lungo e 5,08 centimetri di diametro, è come una piccola torcia, che accende la speranza dello sviluppo del seminterrato del semiconduttore cinese. Anche divenne il paese terzo del mondo, dopo gli Stati Uniti e l'Unione Sovietica , produrreSilicon a cristallo singolo.indipendentemente.

Tuttavia, questosingolo cristalloè fatto dalla fornace che producesingolo cristallodi germanio. A causa della limitazione delle condizioni di equipaggiamento, l'integrità del cristallo è scarsa e la densità di dislocazione è grande. La cosiddetta \"dislocazione \" è quando gli atomi sono disposti in una linea irregolare, e il primo è perso e la corrente Passare attraverso la linea è confuso. In ordine di produrre gratuitamente la disposizioneSilicon Single Crystal., è necessario avere un forno a cristallo singolo in silicone con design ragionevole e alta qualità. Per questo motivo, Lin Lanying ha anche ispezionato il forno a cristallo singolo silicio chiuso dell'Unione Sovietica. Dopo diversi mesi di test, ha scoperto che l'attrezzatura di \"Big Brother \" aveva anche difetti che erano difficili da compensare, quindi ha deciso di svilupparlo separatamente.

Nel 1961, la prima porta apertaSilicon Single Crystal.La fornace è stata prodotta con successo in Cina, che ha risolto il problema di \"aprendo la porta e mantenendo alto grado di vuoto nella fornace \". Nel 1962, iniziò il lavoro di controllo formale, la prima dislocazione della Cina - gratisSilicon Single Crystal.è stato attratto con successo, la qualità dei suoi prodotti ha raggiunto il livello avanzato del mondo dopo il test. Allo stesso tempo, questa \"Meritorious forno \" ha vinto anche il National New Product Award, e il prossimo anno nella fiera internazionale del settore Tokyo, Quindi la produzione di massa, esportata in molti paesi. Nel 1962, Lin Lanying preparato con successo GAAS Singolo crystal con il metodo di crescita orizzontale Bridgman. GAAS è il materiale semiconduttore di seconda generazione, che è molto importante. Durante questo periodo, Lin Lanying ha rivolto la sua attenzione allo sviluppo disiliciomateriali epitassiali.it è un materiale con due strati diSilicon Single Crystal.struttura, che è di grande importanza strategica. La base diSilicon a cristallo singolo., è riuscita di nuovo. Alcuni nuovisilicioDispositivi fatti di questoMateriale epitassiale del silicioRendere il radar militare, gli strumenti di misurazione del telerilevamento e del telerilevamento più precisi e affidabili. Vale la pena ricordare che questo materiale ha svolto un ruolo significativo nella costruzione della prima bomba atomica. Pertanto, Lin Lanying è diventata uno degli scienziati che hanno fatto contributi importanti al \"Due bombe e un satellite \".

Nel secondo anno dopo che Lin Lanying ha sviluppato con successoSilicon Single Crystal., nel settembre del 1959, il workshop del semiconduttore di silicio di 718 stabilimento (fabbrica di giunti della radio china del nord) anche tirato fuori con successo il primoSilicon Single Crystal.nell'industria del semiconduttore cinese. In quell'anno, Zhou Fengming, direttore della fabbrica di tubi elettronici di Pechino, ha accettato il compito di sviluppareSilicon Single Crystal.Come richiesto da Pechino, e ha realizzato il forno secondo il progetto del forno del disegno che ha riportato, e ha iniziato a sviluppare materiali in silicone e dispositivi di silicio (ha cercato di produrre il triodo in lega di silicio). Durante il periodo, la fabbrica di tubi elettronici di Pechino aveva 200 dipendenti impegnati Nella produzione di semiconduttori, con una produzione annua di quasi 1 milione di diodi e 30.000 triodi, e tutti i cristalli e i componenti singoli di germanio sono stati prodotti da noi stessi.