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22831-42-1.
Ahimè
133300pd.
99,5%
- 20 mesh circa, - 200 mesh
245-255-0.
UN1394.
Caratteristica
L'arsenide in alluminio o l'alluminio arsenide (ALAS) è un materiale a semiconduttore con quasi la stessa reticolo costante come arsenidia di Gallio e alluminio arsenide e gap di alluminio e gap band più largo del Gallio Arsenide.
Formula chimica: Ahimè
Messa molare: 101.9031 G / MOL
Aspetto: cristalli arancioni
Densità: 3,72 g / cm3
Punto di fusione: 1.740 ° C (3.160 ° F; 2,010 K)
Solubilità in acqua: reagisce
Solubilità: reagisce in etanolo
GAP BAND: 2.12 EV (indiretto)
Mobilità elettronica: 200 cm2 / (v · s) (300 K)
Conduttività termica: 0,9 w / (cm · k) (300 K)
Indice di rifrazione (ND): 3 (infrarossi)
Applicazione
L'Arsenide in alluminio è un materiale a semiconduttore composto III-V ed è un materiale vantaggioso per la fabbricazione di dispositivi optoelettronici, come i diodi a emissione luminosa.
L'arsenide di alluminio può essere preparato utilizzando metodi ben noti, come tecniche Epitaxy liquidi e fase vapore o tecniche di crescita del fuso. Tuttavia, i cristalli di arsenide in alluminio preparati da questi metodi sono generalmente instabili e generano Arsine (Ash3) Quando esposto a aria umida.
L'arsenide di alluminio può essere preparato utilizzando metodi ben noti, come tecniche Epitaxy liquidi e fase vapore o tecniche di crescita del fuso. Tuttavia, i cristalli di arsenide in alluminio preparati da questi metodi sono generalmente instabili e generano Arsine (Ash3) Quando esposto a aria umida.
Caratteristica
L'arsenide in alluminio o l'alluminio arsenide (ALAS) è un materiale a semiconduttore con quasi la stessa reticolo costante come arsenidia di Gallio e alluminio arsenide e gap di alluminio e gap band più largo del Gallio Arsenide.
Formula chimica: Ahimè
Messa molare: 101.9031 G / MOL
Aspetto: cristalli arancioni
Densità: 3,72 g / cm3
Punto di fusione: 1.740 ° C (3.160 ° F; 2,010 K)
Solubilità in acqua: reagisce
Solubilità: reagisce in etanolo
GAP BAND: 2.12 EV (indiretto)
Mobilità elettronica: 200 cm2 / (v · s) (300 K)
Conduttività termica: 0,9 w / (cm · k) (300 K)
Indice di rifrazione (ND): 3 (infrarossi)
Applicazione
L'Arsenide in alluminio è un materiale a semiconduttore composto III-V ed è un materiale vantaggioso per la fabbricazione di dispositivi optoelettronici, come i diodi a emissione luminosa.
L'arsenide di alluminio può essere preparato utilizzando metodi ben noti, come tecniche Epitaxy liquidi e fase vapore o tecniche di crescita del fuso. Tuttavia, i cristalli di arsenide in alluminio preparati da questi metodi sono generalmente instabili e generano Arsine (Ash3) Quando esposto a aria umida.
L'arsenide di alluminio può essere preparato utilizzando metodi ben noti, come tecniche Epitaxy liquidi e fase vapore o tecniche di crescita del fuso. Tuttavia, i cristalli di arsenide in alluminio preparati da questi metodi sono generalmente instabili e generano Arsine (Ash3) Quando esposto a aria umida.
