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1303-11-3
Inas.
493300GN.
99,99% -99,999%
3 mm - 6 mm
215-115-3.
Classe 6.1.
UN1557.
PG III.
Caratteristica
Indium Arsenide, Inas, o Indium Monoarsenide, è un semiconduttore composto da indio e arsenico. Ha la comparsa di cristalli cubici grigi con un punto di fusione di 942 ° C.
Formula chimica: INAS
Messa molare: 189.740 g / mol
Densità: 5,67 g / cm3
Punto di fusione: 942 ° C (1,728 ° F; 1,215 K)
GAP BAND: 0,354 EV (300 K)
Mobilità elettronica: 40000 cm2/ (V * s)
Conduttività termica: 0,27 W / (cm * k) (300 K)
Indice di rifrazione (ND): 3.51
Struttura in cristallo: Blende di zinco
Applicazione
L'arsenide indio viene utilizzata per la costruzione di rilevatori a infrarossi, per l'intervallo di lunghezza d'onda di 1-3,8 μm. I rivelatori sono solitamente fotododi fotovoltaici. I rivelatori raffreddati criogenicamente hanno rumore inferiore, ma i rivelatori INAS possono essere utilizzati nelle applicazioni di alimentazione più elevate anche a temperatura ambiente. L'Arsenide indio è anche usato per la realizzazione di laser a diodi.
Caratteristica
Indium Arsenide, Inas, o Indium Monoarsenide, è un semiconduttore composto da indio e arsenico. Ha la comparsa di cristalli cubici grigi con un punto di fusione di 942 ° C.
Formula chimica: INAS
Messa molare: 189.740 g / mol
Densità: 5,67 g / cm3
Punto di fusione: 942 ° C (1,728 ° F; 1,215 K)
GAP BAND: 0,354 EV (300 K)
Mobilità elettronica: 40000 cm2/ (V * s)
Conduttività termica: 0,27 W / (cm * k) (300 K)
Indice di rifrazione (ND): 3.51
Struttura in cristallo: Blende di zinco
Applicazione
L'arsenide indio viene utilizzata per la costruzione di rilevatori a infrarossi, per l'intervallo di lunghezza d'onda di 1-3,8 μm. I rivelatori sono solitamente fotododi fotovoltaici. I rivelatori raffreddati criogenicamente hanno rumore inferiore, ma i rivelatori INAS possono essere utilizzati nelle applicazioni di alimentazione più elevate anche a temperatura ambiente. L'Arsenide indio è anche usato per la realizzazione di laser a diodi.
