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DETTAGLI DEL PRODOTTO

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Ossido di afnio (HfO2)-Pellet

  • HfO2
  • 99,95%-99,995%
  • 720800PL
  • 18 mm dia X 12 mm sp.ecc
  • 235-013-2
  • 12055-23-1

Caratteristica

L'ossido di afnio (IV) è il composto inorganico con la formula HfO2.Conosciuto anche come afnia, questo solido incolore è uno dei composti più comuni e stabili dell'afnio.È un isolante elettrico con una banda proibita di 5,3~5,7 eV.Il biossido di afnio è un intermedio in alcuni processi che danno afnio metallico.


Formula chimica:HfO2

Massa molare:210,49 g/mol

Aspetto: polvere biancastra

Densità:9,68 g/cm3, solido

Punto di fusione:2.758 °C (4.996 °F; 3.031 K)

Punto di ebollizione: 5.400 ° C (9.750 ° F; 5.670 K)

Solubilità in acqua:insolubile

Suscettività magnetica (χ):−23.0·10−6cm3/mol


Applicazione

L'hafnia viene utilizzata nei rivestimenti ottici e come dielettrico ad alto nei condensatori DRAM e nei dispositivi avanzati a semiconduttore di ossido di metallo.


Negli ultimi anni, l'ossido di afnio (così come l'ossido di afnio drogato e carente di ossigeno) attira ulteriore interesse come possibile candidato per memorie a commutazione resistiva e transistor ad effetto di campo ferroelettrico compatibili con CMOS (memoria FeFET) e chip di memoria.


A causa del suo punto di fusione molto alto, l'afnia viene anche utilizzata come materiale refrattario nell'isolamento di dispositivi come le termocoppie, dove può operare a temperature fino a 2500 °C.


Film multistrato di biossido di afnio, silice e altri materiali sono stati sviluppati per l'uso nel raffreddamento passivo degli edifici.I film riflettono la luce solare e irradiano calore a lunghezze d'onda che attraversano l'atmosfera terrestre e possono avere temperature di diversi gradi più basse rispetto ai materiali circostanti nelle stesse condizioni.



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