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24304-00-5.
Aln.
130700GN.
99,5% -99,9%
1 mm - 4 mm / 3 mm - 6 mm
246-140-8.
Caratteristica
Nitride in alluminio (ALN) è un solido nitruro di alluminio. Ha un'elevata conduttività termica fino a 285 W / (M · K) ed è un isolante elettrico. La sua fase di wurtzite (W-Aln) ha un divario a banda di ~ 6 EV a temperatura ambiente e ha una potenziale applicazione in optoelettronica che opera nelle frequenze ultraviolette profonde.
Formula chimica: aln
Messa molare: 40.989 g / mol
Aspetto: solido bianco a giallo pallido
Densità: 3.255 g / cm3
Punto di fusione: 2.500 ° C (4,530 ° F; 2,770 K)
Solubilità in acqua: idrolizza (polvere), insolubile (monocristallina)
Solubilità insolubile, oggetto di idrolisi nelle soluzioni idriche di basi e acidi
GAP BAND: 6.015 EV
Mobilità elettronica: ~ 300 cm2/ (V · s)
Conduttività termica: 285 W / (m · k)
Indice di rifrazione (ND): 2.1-2.2 (cristalli) 1.8-1.9 (Amorfo)
Struttura in cristallo: Wurtzite
Applicazione
Il nitruro in alluminio cristallino con film sottile epitassialmente coltivato è utilizzato per sensori d'onda acustica superficiale (seghe) depositati su wafer di silicio a causa delle proprietà piezoelettriche di Aln. Un'applicazione è un filtro RF che è ampiamente utilizzato nei telefoni cellulari,] che è chiamato un risuonatore acustico a pellicola sottile (FBAR). Questo è un dispositivo MEMS che utilizza Nitride in alluminio sandwich tra due strati metallici.
L'aln è anche utilizzato per costruire trasduttori ad ultrasuoni a micromachaching piezoelettrici, che emettono e ricevono ultrasuoni e che possono essere utilizzati per il risanamento in-aria su distanze fino a un metro.
I metodi di metallizzazione sono disponibili per consentire all'aln di essere utilizzato nelle applicazioni di elettronica simile a quelle di allumina e ossido di berillio. Gli aln nanotubi come nanotubi quasi-dimensionali inorganici, che sono isoelettronici con nanotubi di carbonio, sono stati suggeriti come sensori chimici per gas tossici.
Attualmente ci sono molte ricerche sullo sviluppo di diodi a emissione luminosa per operare nell'ultravioletto utilizzando i semiconduttori a base di nitrucini di Gallio e, utilizzando il nitruro in lega di alluminio in lega di alluminio, le lunghezze d'onda sono state raggiunte fino a 250 nm. Nel 2006 è stata segnalata un'innefficata emissione di Aln LED a 210 Nm.
Caratteristica
Nitride in alluminio (ALN) è un solido nitruro di alluminio. Ha un'elevata conduttività termica fino a 285 W / (M · K) ed è un isolante elettrico. La sua fase di wurtzite (W-Aln) ha un divario a banda di ~ 6 EV a temperatura ambiente e ha una potenziale applicazione in optoelettronica che opera nelle frequenze ultraviolette profonde.
Formula chimica: aln
Messa molare: 40.989 g / mol
Aspetto: solido bianco a giallo pallido
Densità: 3.255 g / cm3
Punto di fusione: 2.500 ° C (4,530 ° F; 2,770 K)
Solubilità in acqua: idrolizza (polvere), insolubile (monocristallina)
Solubilità insolubile, oggetto di idrolisi nelle soluzioni idriche di basi e acidi
GAP BAND: 6.015 EV
Mobilità elettronica: ~ 300 cm2/ (V · s)
Conduttività termica: 285 W / (m · k)
Indice di rifrazione (ND): 2.1-2.2 (cristalli) 1.8-1.9 (Amorfo)
Struttura in cristallo: Wurtzite
Applicazione
Il nitruro in alluminio cristallino con film sottile epitassialmente coltivato è utilizzato per sensori d'onda acustica superficiale (seghe) depositati su wafer di silicio a causa delle proprietà piezoelettriche di Aln. Un'applicazione è un filtro RF che è ampiamente utilizzato nei telefoni cellulari,] che è chiamato un risuonatore acustico a pellicola sottile (FBAR). Questo è un dispositivo MEMS che utilizza Nitride in alluminio sandwich tra due strati metallici.
L'aln è anche utilizzato per costruire trasduttori ad ultrasuoni a micromachaching piezoelettrici, che emettono e ricevono ultrasuoni e che possono essere utilizzati per il risanamento in-aria su distanze fino a un metro.
I metodi di metallizzazione sono disponibili per consentire all'aln di essere utilizzato nelle applicazioni di elettronica simile a quelle di allumina e ossido di berillio. Gli aln nanotubi come nanotubi quasi-dimensionali inorganici, che sono isoelettronici con nanotubi di carbonio, sono stati suggeriti come sensori chimici per gas tossici.
Attualmente ci sono molte ricerche sullo sviluppo di diodi a emissione luminosa per operare nell'ultravioletto utilizzando i semiconduttori a base di nitrucini di Gallio e, utilizzando il nitruro in lega di alluminio in lega di alluminio, le lunghezze d'onda sono state raggiunte fino a 250 nm. Nel 2006 è stata segnalata un'innefficata emissione di Aln LED a 210 Nm.
