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24304-00-5.
Aln.
130701PD.
99-99,9%
2000MESHESH-5000MESH.
246-140-8.
Classe 4.1.
UN3178.
Caratteristica
Nitride in alluminio (ALN) è un solido nitruro di alluminio. Ha un'elevata conduttività termica fino a 285 W / (M · K) ed è un isolante elettrico. La sua fase di wurtzite (W-Aln) ha un gap di banda di ~ 6 EV a temperatura ambiente e ha una potenziale applicazione in optoelettronica che opera nelle frequenze ultraviolette profonde.
Formula chimica: aln
Messa molare: 40.989 g / mol
Aspetto: solido bianco a giallo pallido
Densità: 3.255 g / cm3
Punto di fusione: 2.500 ° C (4,530 ° F; 2,770 K)
Solubilità in acqua: idrolizza (polvere), insolubile (monocristallina)
Solubilità insolubile, oggetto di idrolisi nelle soluzioni idriche di basi e acidi
Gap Band: 6.015 EV
Mobilità elettronica: ~ 300 cm2/ (V · s)
Conduttività termica: 285 W / (m · k)
Indice di rifrazione (ND): 2.1-2.2 (cristalli) 1.8-1.9 (Amorfo)
Struttura in cristallo: Wurtzite
Applicazione
Il nitruro di alluminio cristallino con film sottile epitassialmente è utilizzato per sensori d'onda acustica superficiale (seghe) depositati su wafer di silicio a causa delle proprietà piezoelettriche di Aln. Un'applicazione è un filtro RF che è ampiamente utilizzato nei telefoni cellulari,] che è chiamato un risonatore acustico a pellicola sottile (FBAR). Questo è un dispositivo MEMS che utilizza Nitride in alluminio sandwich tra due strati metallici.
Aln è anche utilizzato per costruire trasduttori ad ultrasuoni a micromachaching piezoelettrici, che emettono e ricevono ultrasuoni e che possono essere utilizzati per il rangefinding in-Air su distanze fino a un metro.
I metodi di metallizzazione sono disponibili per consentire l'utilizzo di Aln nelle applicazioni di elettronica simile a quelle di allumina e ossido di berillio. Aln Nanotubes Come nanotubi quasi-dimensionali inorganici, che sono isoelettronici con nanotubi di carbonio, sono stati suggeriti come sensori chimici per gas tossici.
Attualmente ci sono molte ricerche sullo sviluppo di diodi emettitori di luce per operare nell'ultravioletto utilizzando i semiconduttori a base di nitrucini di Gallio e, utilizzando il nitruro in lega di alluminio in lega di alluminio, le lunghezze d'onda sono state raggiunte fino a 250 nm. Nel 2006 è stato riportato un'emissione inefficiente di ALN LED a 210 Nm.
Caratteristica
Nitride in alluminio (ALN) è un solido nitruro di alluminio. Ha un'elevata conduttività termica fino a 285 W / (M · K) ed è un isolante elettrico. La sua fase di wurtzite (W-Aln) ha un gap di banda di ~ 6 EV a temperatura ambiente e ha una potenziale applicazione in optoelettronica che opera nelle frequenze ultraviolette profonde.
Formula chimica: aln
Messa molare: 40.989 g / mol
Aspetto: solido bianco a giallo pallido
Densità: 3.255 g / cm3
Punto di fusione: 2.500 ° C (4,530 ° F; 2,770 K)
Solubilità in acqua: idrolizza (polvere), insolubile (monocristallina)
Solubilità insolubile, oggetto di idrolisi nelle soluzioni idriche di basi e acidi
Gap Band: 6.015 EV
Mobilità elettronica: ~ 300 cm2/ (V · s)
Conduttività termica: 285 W / (m · k)
Indice di rifrazione (ND): 2.1-2.2 (cristalli) 1.8-1.9 (Amorfo)
Struttura in cristallo: Wurtzite
Applicazione
Il nitruro di alluminio cristallino con film sottile epitassialmente è utilizzato per sensori d'onda acustica superficiale (seghe) depositati su wafer di silicio a causa delle proprietà piezoelettriche di Aln. Un'applicazione è un filtro RF che è ampiamente utilizzato nei telefoni cellulari,] che è chiamato un risonatore acustico a pellicola sottile (FBAR). Questo è un dispositivo MEMS che utilizza Nitride in alluminio sandwich tra due strati metallici.
Aln è anche utilizzato per costruire trasduttori ad ultrasuoni a micromachaching piezoelettrici, che emettono e ricevono ultrasuoni e che possono essere utilizzati per il rangefinding in-Air su distanze fino a un metro.
I metodi di metallizzazione sono disponibili per consentire l'utilizzo di Aln nelle applicazioni di elettronica simile a quelle di allumina e ossido di berillio. Aln Nanotubes Come nanotubi quasi-dimensionali inorganici, che sono isoelettronici con nanotubi di carbonio, sono stati suggeriti come sensori chimici per gas tossici.
Attualmente ci sono molte ricerche sullo sviluppo di diodi emettitori di luce per operare nell'ultravioletto utilizzando i semiconduttori a base di nitrucini di Gallio e, utilizzando il nitruro in lega di alluminio in lega di alluminio, le lunghezze d'onda sono state raggiunte fino a 250 nm. Nel 2006 è stato riportato un'emissione inefficiente di ALN LED a 210 Nm.
