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numero Sfoglia:0 Autore:Editor del sito Pubblica Time: 2021-11-17 Origine:motorizzato
La stagno di zinco di rame SELENUR SELENIUM CU2ZNSNSXSE4-X (CZTSSE) è una nuova generazione di materiale di livello di assorbimento della luce per celle solari a film sottile. Il materiale ha strutture di cristallo simile e proprietà materiali per rame inlium gallio selenio cuinxga1-XSE2 (CIGS), che è attualmente in circolazione nel campo delle celle solari del film sottile. Rame, zinco, stagno, zolfo e selenio hanno un alto coefficiente di assorbimento della luce (superiore a 104 cm-1), gap di banda regolabile (1.0-1.5ev) e buona resistenza alla fotodeplerazione. Inoltre, gli elementi della composizione sono abbondanti nella terra, sicuri e non tossici, che sono molto adatti per lo sviluppo di prestazioni ad alta efficienza, economica e stabile delle celle solari.
Nella preparazione di materiali di rame, zinco, stagno, zolfo e selenio, c'è una fase di selezione ad alta temperatura, che è quella di sostituire parzialmente l'elemento di zolfo con elemento del selenio e far crescere il grano. Questo passaggio comporta la formazione di uno strato di interfaccia tra lo strato di assorbimento e l'elettrodo di molibdeno del selenide del solfuro di molibdeno (Mo (s, SE) 2). Lo spessore appropriato del selenide del solfuro di molibdeno può formare il contatto ohmico con il livello di assorbimento e migliorare l'adesione tra lo strato di assorbimento e il substrato, che è vantaggioso per il dispositivo. Tuttavia, se lo strato di MOSE è troppo spesso, il trasporto del corriere sarà ostacolato e la resistenza della serie del dispositivo sarà aumentata, che non è buona per le prestazioni del dispositivo. Inoltre, in condizioni di alta temperatura, la strato di assorbimento di rame, zinco, stagno, zolfo e selenio può reagire con la base di molibdeno, in modo che la decomposizione di rame, zinco, stagno, zolfo e selenio produca una fase secondaria, che è anche molto avverso alle prestazioni della batteria.
Pertanto, un metodo di modifica dell'interfaccia posteriore è urgentemente necessaria per impedire efficacemente la formazione di Selenide di solfuro di molibdeno e la decomposizione di Phase di CU, ZN, SN, S - S - SENG all'interfaccia durante la selezione ad alta temperatura.
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