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71496-78-1.
LAALO3.
57130800GN.
99,9%
1 mm - 4 mm / 3 mm - 6 mm
Caratteristica
L'alluminato di lantanio è un composto inorganico con la formula LaAlO3, spesso abbreviato come LAO. È un ossido ceramico otticamente trasparente con una struttura di perovskite distorta.
Formula chimica ： LaAlO3
Massa molare ： 213.89 g / mol
Aspetto ： otticamente trasparente, marrone chiaro a marrone
Densità ： 6,52 g / cm3
Punto di fusione ： 2.080 ° C (3.780 ° F; 2.350 K)
Solubilità in acqua ： Insolubile in acidi minerali a 25 ° C. Solubile in H3PO3> 150 ° C
Applicazione
I film sottili di LAO a crescita epitassiale possono servire a vari scopi per eterostrutture e dispositivi a elettroni correlati. LAO è talvolta usato come isolante epitassiale tra due strati conduttivi.
I cristalli singoli di alluminato di lantanio sono disponibili in commercio come substrato per la crescita epitassiale delle perovskiti, in particolare per i superconduttori a base di rame.
I film sottili di alluminato di lantanio erano considerati materiali candidati per i dielettrici ad alto k all'inizio della metà degli anni 2000.
Caratteristica
L'alluminato di lantanio è un composto inorganico con la formula LaAlO3, spesso abbreviato come LAO. È un ossido ceramico otticamente trasparente con una struttura di perovskite distorta.
Formula chimica ： LaAlO3
Massa molare ： 213.89 g / mol
Aspetto ： otticamente trasparente, marrone chiaro a marrone
Densità ： 6,52 g / cm3
Punto di fusione ： 2.080 ° C (3.780 ° F; 2.350 K)
Solubilità in acqua ： Insolubile in acidi minerali a 25 ° C. Solubile in H3PO3> 150 ° C
Applicazione
I film sottili di LAO a crescita epitassiale possono servire a vari scopi per eterostrutture e dispositivi a elettroni correlati. LAO è talvolta usato come isolante epitassiale tra due strati conduttivi.
I cristalli singoli di alluminato di lantanio sono disponibili in commercio come substrato per la crescita epitassiale delle perovskiti, in particolare per i superconduttori a base di rame.
I film sottili di alluminato di lantanio erano considerati materiali candidati per i dielettrici ad alto k all'inizio della metà degli anni 2000.
