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Italianonumero Sfoglia:19 Autore:Editor del sito Pubblica Time: 2021-07-21 Origine:motorizzato
Bismuth (III) OssidoÈ un importante composto di bismuto, l'ossido di bismuto ha due tipi di struttura cristallina: tipo alfa e tipo beta. Rispetto all'ossido di Bismuth beta, l'ossido di bismuto alfa è più stabile in alta temperatura e ha un uso più comune di materiali elettronici, termistore, colorazione in vetro, varistore, scaricatori di sovratensioni, crt, carta ignifuga, carburante per reattore nucleare, elettronico ecc.
L'ossido di bismuto ha visto interesse come materiale per celle a combustibile a ossido solido o Sofcs poiché è un conduttore ionico, cioè gli atomi di ossigeno si muovono prontamente attraverso di esso. Pure Bismuth Oxide, Bi2O3 ha quattro polimorfi cristallografici. Ha una struttura a cristalli monoclinica, designata α- bi2o3, a temperatura ambiente. Questo si trasforma nella struttura cristallina di tipo fluorite cubica, Δ-bi2o3, quando riscaldato sopra 727 ° C, che rimane la struttura fino a quando il punto di fusione, 824 ° C, viene raggiunto. Il comportamento di Bi2O3 sul raffreddamento dalla fase Δ è più complessa, con la possibile formazione di due fasi metastabili intermedie; La fase β-tetragonale o il corpo centrato γ-fase cubica. La fase γ può esistere a temperatura ambiente con tassi di raffreddamento molto lenti, ma α- bi2o3 si forma sempre sul raffreddamento della beta-fase.
A 750 ° C la conduttività di Δ- bi2o3 è in genere circa 1 SCM-1, circa tre ordini di grandezza maggiore delle fasi intermedie e quattro ordini superiori alla fase monoclina. La conduttività nelle fasi β, γ e δ è prevalentemente ionica con ioni di ossido che è il principale portante. La fase α mostra la conduttività elettronica del tipo P (la carica viene trasportata da fori positivi) a temperatura ambiente che si trasforma in conduttività del tipo N (la carica viene trasportata da elettroni) tra 550 ° C e 650 ° C, a seconda dell'ossigeno parziale pressione. È quindi inadatto per le applicazioni elettrolite. Δ- Bi2O3 ha una struttura di cristalli di tipo fluorite difettosa in cui due degli otto siti di ossigeno nella cella dell'unità sono vacanti. Questi posti vacanti intrinseci sono altamente mobili a causa dell'alta polarisabilità del sotto-reticolo della cazione con i 6S2 Lone Accoppia elettronica BI3 +. Le obbligazioni BI-O hanno carattere covalente del legame e sono quindi più deboli delle obbligazioni puramente ioniche, quindi gli ioni di ossigeno possono saltare in posti vacanti più liberamente.
L'ossido di bismuto è utilizzato principalmente in materiali elettronici, termistor, colorazione in vetro, varistore, scaricatori di sovratensioni, CRT, carta ignifuga, carburante per reattore nucleare, elettronico ecc.
