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12055-23-1.
HFO2.
720800RD.
99,995%
10 mm Dia x 10 cm di lunghezza
235-013-2.
Caratteristica
L'ossido di afnio (IV) è il composto inorganico con la formula HfO2. Conosciuto anche come afnia, questo solido incolore è uno dei composti più comuni e stabili dell'afnio. È un isolante elettrico con un intervallo di banda di 5,3 ~ 5,7 eV. Il biossido di afnio è un intermedio in alcuni processi che danno afnio metallico.
Formula chimica ： HfO2
Massa molare ： 210,49 g / mol
Aspetto: polvere biancastra
Densità ： 9,68 g / cm3, solido
Punto di fusione ： 2.758 ° C (4.996 ° F; 3.031 K)
Punto di ebollizione ： 5.400 ° C (9.750 ° F; 5.670 K)
Solubilità in acqua ： insolubile
Suscettibilità magnetica (χ) ： - 23,0 · 10−6centimetro3/ mol
Applicazione
Hafnia è utilizzato nei rivestimenti ottici e come dielettrico ad alto κ nei condensatori DRAM e nei dispositivi semiconduttori di ossido di metallo avanzati.
Negli ultimi anni, l'ossido di afnio (così come l'ossido di afnio drogato e carente di ossigeno) attrae ulteriore interesse come possibile candidato per memorie a commutazione resistiva e transistor ad effetto di campo ferroelettrico compatibili con CMOS (memoria FeFET) e chip di memoria.
A causa del suo punto di fusione molto alto, l'hafnia viene anche utilizzata come materiale refrattario nell'isolamento di dispositivi come le termocoppie, dove può funzionare a temperature fino a 2500 ° C.
Sono state sviluppate pellicole multistrato di biossido di afnio, silice e altri materiali per il raffreddamento passivo degli edifici. Le pellicole riflettono la luce solare e irradiano calore a lunghezze d'onda che attraversano l'atmosfera terrestre e possono avere temperature di diversi gradi più fredde rispetto ai materiali circostanti nelle stesse condizioni.
Caratteristica
L'ossido di afnio (IV) è il composto inorganico con la formula HfO2. Conosciuto anche come afnia, questo solido incolore è uno dei composti più comuni e stabili dell'afnio. È un isolante elettrico con un intervallo di banda di 5,3 ~ 5,7 eV. Il biossido di afnio è un intermedio in alcuni processi che danno afnio metallico.
Formula chimica ： HfO2
Massa molare ： 210,49 g / mol
Aspetto: polvere biancastra
Densità ： 9,68 g / cm3, solido
Punto di fusione ： 2.758 ° C (4.996 ° F; 3.031 K)
Punto di ebollizione ： 5.400 ° C (9.750 ° F; 5.670 K)
Solubilità in acqua ： insolubile
Suscettibilità magnetica (χ) ： - 23,0 · 10−6centimetro3/ mol
Applicazione
Hafnia è utilizzato nei rivestimenti ottici e come dielettrico ad alto κ nei condensatori DRAM e nei dispositivi semiconduttori di ossido di metallo avanzati.
Negli ultimi anni, l'ossido di afnio (così come l'ossido di afnio drogato e carente di ossigeno) attrae ulteriore interesse come possibile candidato per memorie a commutazione resistiva e transistor ad effetto di campo ferroelettrico compatibili con CMOS (memoria FeFET) e chip di memoria.
A causa del suo punto di fusione molto alto, l'hafnia viene anche utilizzata come materiale refrattario nell'isolamento di dispositivi come le termocoppie, dove può funzionare a temperature fino a 2500 ° C.
Sono state sviluppate pellicole multistrato di biossido di afnio, silice e altri materiali per il raffreddamento passivo degli edifici. Le pellicole riflettono la luce solare e irradiano calore a lunghezze d'onda che attraversano l'atmosfera terrestre e possono avere temperature di diversi gradi più fredde rispetto ai materiali circostanti nelle stesse condizioni.
