A cosa serve il Gallio Arsenide?

Che cos'è esattamente l'arsenide Gallio, un materiale semiconduttore?

Arseniuro di gallio(GAAS) SemicondI materiali UCTOR hanno un'elevata mobilità di elettroni (circa 5,7 volte quella del silicio) e la struttura del gap a banda larga rispetto ai materiali di silicio tradizionali. Può condurre la corrente molto più velocemente sotto le stesse condizioni. Possiamo utilizzare i materiali a semiconduttore di Arsenide Gallium per preparare i dispositivi a microonde, che giochino Un ruolo chiave nella trasmissione di dati satellitare, comunicazione mobile, navigazione globale GPS e altri campi.

Un'importante caratteristica dei materiali a semiconduttore di Gallium Arsenide è la sua fotoelettrica. Nue alla sua struttura come lacuna di banda diretta (assorbendo o emettendo energia fotonica, elettroni direttamente la transizione da banda di valenza alla banda di conduzione, con una maggiore efficienza luminosa) e larga gap , la sua efficienza delle emissioni di luce è superiore a quella dei materiali del semiconduttore di silicio e del germanio. Non può essere utilizzato solo per produrre diodi emettili di luce, rilevatori di luce, ma possono anche essere utilizzati per preparare i laser a semiconduttori, ampiamente utilizzati nella comunicazione ottica e in altri campi . Inoltre, i materiali del semiconduttore di Gallium Arsenide hanno anche resistenti alla temperatura, bassa potenza e altre caratteristiche, che sono ampiamente utilizzate nel campo della comunicazione satellitare.

Gallio Arsenide (GAAS) e fosforo indio (INP) sono i materiali base di microelettronica e optoelettronica. Gallium Arsenide è il materiale semiconduttore composto più importante e ampiamente utilizzato e anche il materiale semiconduttore composto più maturo con la più grande produzione. Arsenide di Gallium ha un'elevata mobilità di elettroni (5-6 volte quella del silicio), gap di grandi dimensioni (1.43ev per il gallio Arsenide e 1.1ev per SI) e gap di banda diretta, quindi è facile creare materiale semi-isolante, bassa concentrazione di corriere intrinseca e buone caratteristiche fotoelettriche. I dispositivi dell'Arsenide di Gallium hanno una buona risposta in frequenza, alta velocità e alta temperatura di funzionamento, che può incontrarsi Le esigenze di optoelettronica integrata. È il materiale fotoelettronico più importante al momento, e anche il materiale microelettronico più importante dopo il materiale del silicio. È adatto per la produzione di dispositivi ad alta frequenza, dispositivi e circuiti ad alta velocità.

Inoltre, GAAS Materiale ha anche resistenza al calore, resistenza alle radiazioni e caratteristiche sensibili al campo magnetico. Pertanto, i dispositivi realizzati con questo materiale hanno anche usi e diversità speciali e la sua applicazione è stata estesa ai campi che i dispositivi di silicio e di germanio non possono raggiungere. Anche nel 1998, quando l'industria del Semiconduttore mondiale era in recessione, il mercato delle vendite dei dispositivi materiali GAAS è stato ancora promesso [1]. Sovra il corso, il materiale GAAS ha anche alcuni svantaggi, come ad esempio la pressione del vapore del punto di fusione elevate, difficile da controllare la composizione, Tasso di crescita lento di cristallo singolo, resistenza meccanica debole, scarsa integrità e prezzo elevato, che influisce notevolmente il suo grado di applicazione. Tuttavia, le proprietà uniche dei materiali GAAS e il loro ampio uso in campi militari, civili e industriali hanno attirato grande attenzione da vari paesi e un sacco di soldi sono stati investiti nello sviluppo e nella ricerca.